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HY57V161610E 数据表 (PDF) - Hynix Semiconductor

HY57V161610E Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
部件名 HY57V161610E
下载  HY57V161610E 下载

文件大小   181.48 Kbytes
  13 Pages
制造商  HYNIX [Hynix Semiconductor]
网页  http://www.skhynix.com/kor/main.do
标志 HYNIX - Hynix Semiconductor
功能描述 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

HY57V161610E Datasheet (PDF)

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HY57V161610E Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

部件名 HY57V161610E
下载  HY57V161610E Click to download

文件大小   181.48 Kbytes
  13 Pages
制造商  HYNIX [Hynix Semiconductor]
网页  http://www.skhynix.com/kor/main.do
标志 HYNIX - Hynix Semiconductor
功能描述 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

HY57V161610E 数据表 (HTML) - Hynix Semiconductor

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HY57V161610E 产品详情

DESCRIPTION
THE Hynix HY57V161610E is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory and graphic applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V161610E is organized as 2banks of 524,288x16.

FEATURES
• Single 3.0V to 3.6V power supply
• All device pins are compatible with LVTTL interface
• JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm of pin
    pitch
• All inputs and outputs referenced to positive edge of system
    clock
• Data mask function by UDQM/LDQM
• Internal two banks operation
• Auto refresh and self refresh
• 4096 refresh cycles / 64ms
• Programmable Burst Length and Burst Type
    - 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst
    - 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst
• Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks
   




类似零件编号 - HY57V161610E

制造商部件名数据表功能描述
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Hynix Semiconductor
HY57V161610ET-10I HYNIX-HY57V161610ET-10I Datasheet
482Kb / 13P
   2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-15I HYNIX-HY57V161610ET-15I Datasheet
482Kb / 13P
   2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-55I HYNIX-HY57V161610ET-55I Datasheet
482Kb / 13P
   2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-5I HYNIX-HY57V161610ET-5I Datasheet
482Kb / 13P
   2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-6I HYNIX-HY57V161610ET-6I Datasheet
482Kb / 13P
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ADS4616A4A A-DATA-ADS4616A4A Datasheet
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Rev 1 December, 2001
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A43L0616B AMICC-A43L0616B Datasheet
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   512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM
A43L0616B AMICC-A43L0616B Datasheet
1Mb / 45P
   512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM
A43L0616A AMICC-A43L0616A Datasheet
1,011Kb / 45P
   512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM
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Hynix Semiconductor
HY67V161610D HYNIX-HY67V161610D Datasheet
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AMIC Technology
A43E06161 AMICC-A43E06161 Datasheet
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VDS4616A4A A-DATA-VDS4616A4A Datasheet
542Kb / 8P
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Rev 1 December, 2001
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HY57V161610ET-I HYNIX-HY57V161610ET-I Datasheet
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HY57V161610D-I HYNIX-HY57V161610D-I Datasheet
574Kb / 11P
   2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ETP-I HYNIX-HY57V161610ETP-I Datasheet
215Kb / 13P
   2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
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关于 Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor是一家韩国公司,专门从事内存半导体的设计和制造。
该公司成立于1983年,总部位于韩国伊歇。
Hynix是世界上领先的DRAM(动态随机访问存储器)和NAND闪存的生产商之一,它们用于各种应用程序,例如计算机系统,移动设备和固态驱动器。
Hynix以其在内存半导体技术方面的专业知识以及为客户提供高质量和高性能存储产品的能力。
该公司在世界各地拥有运营和设施,并与客户紧密合作,提供满足其特定需求和需求的定制内存解决方案。
除了其内存产品外,Hynix还为汽车和数据中心市场提供了一系列产品和解决方案,例如System-A-A-Chip(SOC)产品(SOC)产品和高带宽内存(HBM)产品。

*此信息仅供一般参考,对于因上述信息造成的任何损失或损害,我们概不负责。




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